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  • 型号: MT49H16M36BM-33:B TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT49H16M36BM-33:B TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT49H16M36BM-33:B TR价格参考。Micron Technology IncMT49H16M36BM-33:B TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT49H16M36BM-33:B TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT49H16M36BM-33:B TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号 MT49H16M36BM-33:B TR 是一款基于 DDR3 SDRAM 技术的存储芯片。以下是其主要应用场景及特点:

 1. 高性能计算
该型号适用于需要高带宽和快速数据处理的应用场景,例如服务器、工作站和高性能计算(HPC)系统。DDR3 技术能够提供更高的数据传输速率(理论速度可达 2133 MT/s 或更高),满足复杂计算任务的需求。

 2. 嵌入式系统
在嵌入式设备中,如工业控制、医疗设备、网络通信设备等,这款存储器可以为实时数据处理和多任务操作提供支持。其稳定性和可靠性使其成为关键任务应用的理想选择。

 3. 消费电子
该型号可能用于高端消费电子产品,例如智能电视、游戏机或多媒体播放器。这些设备通常需要大容量存储和快速响应时间来支持高清视频解码、图形渲染等功能。

 4. 汽车电子
在现代汽车中,存储器被广泛应用于信息娱乐系统、导航系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。MT49H16M36BM-33:B TR 的性能和稳定性可满足汽车环境中的严苛要求。

 5. 网络与通信
路由器、交换机和其他网络设备需要高效的内存管理以支持大规模数据包处理和转发。该型号的高速特性非常适合这些应用。

 技术参数特点:
- 容量:16Mb x 36(约等于 72Mb 总容量)。
- 接口:DDR3 SDRAM,支持双倍数据速率传输。
- 工作电压:典型值为 1.5V。
- 时钟频率:最高可达 800 MHz,具体取决于实际配置。
- 封装形式:采用 BGA 封装,适合高密度电路板设计。

总结来说,MT49H16M36BM-33:B TR 主要应用于对性能、稳定性和低功耗有较高要求的领域,包括但不限于计算、嵌入式、消费电子和汽车电子行业。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC RLDRAM 576MBIT 3.3NS UBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT49H16M36BM-33:B TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

144-µBGA (18.5x11)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

RLDRAM 2

存储容量

576M(16M x 36)

封装/外壳

144-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

3.3ns

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